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【AI浪潮下NAND闪存的转变】

本轮AI浪潮让NAND闪存从“周期性过剩的大宗商品”变成了“供不应求的战略资源”。闪迪在分拆、甩掉传统硬盘业务拖累后，纯粹押注NAND和数据中心SSD，正好踩中风口。

【AI服务器对NAND闪存的需求】

AI服务器进行推理、处理复杂Tokens等时，需高频、反复读写历史数据，传统云架构存储配置无法满足需求，现在AI服务器单节点对NAND闪存消耗量呈指数级增长。

【AI基建对NAND行业需求的影响】

在训练为主导阶段，厂商比拼算力；进入推理阶段，“AI基础设施=XPU+存储+连接”，算力重要性削弱，更注重存储和连接领域需求。AI基建是如何影响NAND整体行业需求的呢？实际上AI数据中心主要需求集中在企业级SSD上，当前AI最需要超大容量企业级QLC SSD和高带宽、低延迟的PCIe 5.0/6.0 SSD。下游大型CSP抢购企业级SSD，存储厂商调整产能，“供给端的挤压”带动NAND整体周期上行。

【闪迪的聚焦与受益】

在NAND市场，主要玩家有三星、海力士、美光、闪迪等，闪迪最为纯粹。三大原厂重心在DRAM及HBM领域，闪迪甩掉传统硬盘后聚焦NAND闪存市场，将受益于本轮NAND行业面“升温”。

【围绕闪迪的三个问题】

对于闪迪公司，主要围绕三个问题展开：①闪迪与西数的关系；②闪迪与铠侠的合作；③闪迪的NAND技术在行业面怎么样。后续闪迪公司的业绩表现及估值定价将放在下篇文章中。

【闪迪的技术策略与优势】

闪迪不“死磕”层数，主攻“横向微缩”实现行业最高位密度；率先量产CBA键合架构提升性能能效；联合首推针对AI推理的HBF（高带宽闪存）技术，综合技术在NAND厂商中处于相对领先的第一梯队。在AI大模型推理引爆超大容量企业级QLC SSD强劲需求下，闪迪凭借稳固产能保障、高业绩弹性和HBF潜在机会，将继续享受AI基建带来的增长红利。

【闪迪与西数：十年之痒，“分开”两利】

闪迪创立于1988年，是闪存技术开创者之一，2016年被西部数据以160亿美元左右并购。因HDD和NAND产品成长性及发展逻辑不同，公司受市场“低估折价”影响。2023年10月，西部数据宣布计划分拆闪存业务至闪迪新上市公司，2025年2月重新“单独”上市。分拆时西部数据保留闪迪19.9%股份，至2025年6月减持至5%左右。西部数据收购闪迪借了180亿美元左右并购贷款，承受“高额债务”重压。闪迪股价走高，西部数据计划处置750万股闪迪股票减轻债务。处置分两步：①“债转股并在二级市场公开发售”处置582万股；②“股换股”处置169万股。西部数据“分拆剥离”闪迪对双方有利：①西部数据减轻债务压力，聚焦HDD领域；②闪迪成为独立NAND闪存和固态硬盘公司。截止2025年末，西部数据仍是闪迪大股东之一，清空股票后，闪迪将成为由华尔街机构控制的独立科技公司。

【闪迪+铠侠：20多年的持续合作】

闪迪产品“单一”，收入全来自NAND领域。AI浪潮起初关注HBM领域，闪迪未受益，存储周期转向NAND时，“all in NAND”的闪迪表现更具弹性。当前NAND行业出货量主要来自三星、海力士和美光，铠侠和闪迪大致占15%市场份额，闪迪产能基本来自日本合资工厂，与铠侠平分晶圆产能。东芝（铠侠前身）发明NAND但缺乏商用资金和经验，闪迪有技术和市场渠道，2000年左右双方在日本四日市合作建晶圆厂：①共同出资购买设备，分担风险；②研发共享，共研BiCS架构，技术成果共享，die后自研差异化；③产能分配，平分晶圆产能，各自销售。闪迪与铠侠合作稳固，中间经历闪迪收购及独立、东芝存储更名，合作协议未中断。2026年1月闪迪宣布延长合资协议至2034年12月31日。2026年7月两家公司宣布BiCS10工程样片送样，规格一致。闪迪NAND晶圆来自日本两个基地：四日市基地规模最大；北上基地是新兴增量基地。铠侠8月27日宣布启动北上工厂Fab3准备工作，目标2029财年投产。两家公司宣布2032年前在日本投资超310亿美元，前提是获政府支持。

【NAND的堆叠技术能力及经济性】

当NAND产品从2D进阶到3D，重要的是层数叠加。3D NAND容量提升可通过增加堆叠层数实现，跳出制程“死胡同”。NAND堆叠层数增加带来存储密度提高，用少量资本开支可提升供应量。a）堆叠技术选择，最大技术难点是深通道孔蚀刻，进入200层级以上，美光、三星等厂商采用双堆栈方式，三星计划改进材料用双堆栈增加层数，但其V9QLC因设计问题量产受阻；海力士转向三堆栈方式。目前三星V9坚持“双堆叠”，海力士及闪迪转入“三堆叠”，三星下一代V10也将转为“三堆叠”。b）3D NAND层数堆叠的经济性，从200层级提升至300层级，单片晶圆位密度提升50%左右，产能理论上增加一半。NAND厂商利用现有产线升级改造，成本是新建的1/3左右，但工序增加会增加单片晶圆制造成本。从200层级提升至300层级，产能提升50%左右，成本增加30%左右，单GB存储成本下降10 - 20%，厂商优先选择增加层数堆叠扩产。

【NAND各家的技术进展及对比】

比较各家NAND产品技术表现有层数节点、位密度等维度。闪迪不“死磕”层数，重心在横向缩放、引入CBA技术和研发HBF产品方向。a）层数节点，海力士在层数堆叠领域领先，其321层QLC NAND SSD 2026年4月量产交付。其余几家进展相近，按主力量产节点：321（海力士）> 286（三星）> 276（美光）> 218（闪迪/铠侠）。三星V9 QLC推迟量产，后实现量产爬坡，2026年8月首发第10代BV - NAND (V10)，将转向“三堆栈”；美光G9 NAND是出货主力，进展偏慢，预计下一代NAND 2027年下半年量产；闪迪和铠侠主力产品是BiCS8，BiCS10 2026年7月工程送样，下一代BiCS11已开发。b）位密度，闪迪&铠侠面密度最高，通过“存储孔”密度提升和单元封装增加每片晶圆比特数，BiCS架构有“横向微缩”特性，但做薄会增加风险。闪迪&铠侠策略是BiCS9面向AI PC与手机领域，BiCS10面向AI推理与企业级。推测面密度大致为：闪迪&铠侠BiCS10（>29）>三星V9/V10（28）>美光G9（21）>海力士Gen9（20）。c）架构，①CBA方面，闪迪&铠侠是先发者，2024年在BiCS8中量产CBA架构，三星和海力士2026年开始使用，美光预计后续引入。CBA方式效率高，可让存储单元叠得更密集。②单元类型，QLC是企业级大容量主流，闪迪规划TLC主打性能、QLC主打容量产品结构，明确不采用PLC，靠CBA+平面微缩提升性能与能效。d）接口与读写性能，当前三家厂商接口速率接近，主流产品数据传输速率3.2 - 3.6Gbps，下一代有望提升至4.8 - 5.6Gbps。接口阵营分Toggle DDR和ONFI两类，闪迪&铠侠、三星选Toggle DDR，美光和海力士选ONFI阵营。闪迪/铠侠在BiSC9中采用CBA+Toggle DDR6.0。HBF由SK海力士与闪迪联合首披露规范，有两种堆叠配置，第一代产品有目标性能。HBF介于HBM与NVMe SSD之间，不会完全替代HBM，适用于密集推理场景。闪迪首颗HBF die已流片，首批推理产品样品预计2027年交付，闪迪给出HBF四种部署形态。综合来看，闪迪整体技术相对领先，随着BiCS10量产跟上第一梯队步伐，美光对NAND关注度低，技术进展偏慢。海豚君本文围绕闪迪相关问题展开，下篇将围绕公司业务进展及估值定价展开，欢迎关注。