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EMI外扩SRAM存储芯片2Mb快速异步SRAM为2,095,152位，提供两种组织：128K×16与256K×8。前者地址线A16A0，后者A17A0，数据位宽分别为16位与8位，均支持UB/LB高低字节控制。

EMI高速外扩SRAM存储芯片访问时间分三档：8ns、10ns、12ns，对应输出使能时间tOE为4ns、5ns、6ns。速度与供电相关——3.3V档可取8ns，2.5V档为10ns，1.8V档为12ns。低压档速度自然放缓，这一点在时序预算里必须如实计入。

高速低功耗工控外扩SRAM存储芯片参数
①容量：2,095,152 bit
②两种组织：128K×16与256K×8
③访问时间：tAA 8/10/12ns，tOE 4/5/6ns（3.3V档8ns、2.5V档10ns、1.8V档12ns）
④供电：1.65V_{3.6V；推荐工作条件分两段：2.3}3.6V与1.65~2.2V
⑤地址：128K×16为A16_{A0，256K×8为A17}A0
⑥工艺：外扩SRAM存储芯片先进CMOS、6TR存储单元
⑦封装：44 TSOP2
⑧温度：−40~85℃
⑨功耗：ICC 8ns典型23mA/最大32mA，10ns 21/30mA，12ns 19/28mA；待机ISB最大15mA
⑩数据保持：2.0V最低（2.5/3.3V）、1.5V（1.8V），恢复时间≥1ms
⑪外扩SRAM存储芯片TTL兼容、三态输出、全静态无需时钟与刷新；CS/WE/OE加UB/LB高低字节控制