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1. 为什么一块最小系统板值得反复打磨

STM32F103C8T6这颗料，圈子里叫它"蓝药丸"或者"最小系统板"，几乎是每个嵌入式工程师入门ARM Cortex-M3的第一块板子。它便宜、好买、资料多，48个引脚塞进了72MHz主频、64KB Flash、20KB SRAM，还有CAN、USB、多个USART和SPI，性价比放到今天依然能打。但真正自己动手从原理图到PCB走一遍的人会发现，这块板子看着简单，坑却不少——电源纹波、晶振不起振、复位电路误触发、SWD下载失败、BOOT引脚配置错误，随便一个都能让你在调试台上耗掉一整个下午。

这篇内容就是把我自己画这块板子踩过的坑、验证过的方案、以及一些教科书上不会写的细节，完整地摊开来讲。适合已经会基本EDA操作、想自己画一块能稳定跑起来的最小系统板的同学，也适合画过几版但总有小毛病、想搞清楚"为什么这么设计"的工程师。核心关键词就三个：STM32F103C8T6、最小系统核心板、原理图与PCB设计。我会从整体思路讲到具体参数计算，再到实操步骤和排查技巧，尽量做到你照着做就能复现。

先说清楚一个前提：最小系统不等于"能点亮LED就行"。一个合格的最小系统核心板，至少要保证MCU能稳定上电、能可靠复位、能正常下载程序、晶振能起振、电源干净、BOOT模式可切换。这五条是底线，任何一条出问题，后面写再多代码都是白搭。所以设计的时候，思路要围绕"稳定性"而不是"能跑就行"来展开。

2. 整体方案设计与核心思路拆解

2.1 最小系统的边界到底在哪里

很多人对"最小系统"的理解有偏差，以为只要把MCU焊上去、接个电源就行。实际上，STM32F103C8T6要能正常工作，外围必须包含这几块：电源电路（3.3V稳压）、复位电路、时钟电路（外部晶振）、启动模式配置电路（BOOT0/BOOT1）、以及调试接口（SWD）。这五块缺一不可，少一个都可能出现"程序下载不进去"或者"上电不运行"的情况。

我见过有人为了省事，把BOOT0直接接地、BOOT1也接地，结果想用串口下载的时候发现进不去Bootloader，只能拆板子改电路。所以我的建议是：BOOT0用一个跳线帽或者0欧电阻预留出来，BOOT1也留个选择位。多两个元件，换来的是调试灵活性，这笔账很划算。

另外，去耦电容这块也是重灾区。STM32F103C8T6有多个VDD和VSS引脚，每个电源引脚旁边都应该放一个100nF的陶瓷电容，越靠近引脚越好。VBAT引脚如果不用电池，也要接VDD并加去耦。这些细节在数据手册的电源部分写得清清楚楚，但很多人画图的时候直接忽略了。

2.2 电源方案怎么选：LDO还是DC-DC

最小系统板的输入电源通常是5V（USB或者外部适配器），MCU需要3.3V。这里有两个选择：LDO线性稳压和DC-DC开关稳压。

LDO的优点是电路简单、输出纹波小、没有开关噪声，缺点是效率低、发热大。如果输入5V输出3.3V，压差1.7V，假设电流100mA，那LDO自身就要消耗0.17W的功率，SOT-23封装的LDO会明显发热。但对于最小系统板这种几十到一百多毫安的负载，LDO完全够用，而且纹波小对ADC采样和晶振稳定性更友好。

DC-DC效率高，但需要电感、二极管、反馈电阻，布局不好还会引入开关噪声，干扰MCU的模拟部分。除非你的板子要带很多外设、电流需求大，否则最小系统板用LDO是更稳妥的选择。

我常用的方案是AMS1117-3.3或者RT9013。AMS1117便宜好买，但静态电流偏大、压差要求高（约1.1V），输入5V时输出3.3V没问题。RT9013压差更低、静态电流更小，适合电池供电场景。选哪个看你的实际需求，但记住一点：LDO的输入输出都要加电容，输入侧建议10uF，输出侧建议10uF加100nF，这样能有效抑制纹波和瞬态响应。

2.3 晶振电路：8MHz主晶振和32.768kHz RTC晶振

STM32F103C8T6的主时钟来源有几个选项：内部HSI（8MHz）、外部HSE（通常8MHz）、内部LSI、外部LSE（32.768kHz）。最小系统板一般都会焊一个8MHz的外部晶振，因为HSE的精度比HSI高得多，而且用HSE配合PLL可以稳定跑到72MHz。

晶振电路看起来简单，就两个电容加一个晶体，但坑特别多。负载电容的计算是关键：CL = (C1 * C2) / (C1 + C2) + Cstray，其中Cstray是PCB走线的寄生电容，一般取3到5pF。假设晶振的负载电容要求是20pF，那C1和C2大概各取22pF到27pF。但实际选值还要看晶振手册，不同厂家的晶振负载电容要求不一样。

我踩过的坑是：用了错误的负载电容，导致晶振起振困难，有时候能起振有时候不能，特别在低温环境下更容易出问题。后来用示波器测晶振引脚，发现波形幅度很小、频率偏移，换了匹配的电容之后就稳定了。所以晶振电容不要随便抄别人的值，一定要看自己用的晶振手册。

另外，晶振的布局也很讲究。晶振和负载电容要尽量靠近MCU的OSC引脚，走线要短、要对称，下方最好不要走其他信号线，尤其是高频信号。晶振下方铺地可以，但不要铺电源。有些设计还会在晶振旁边加一个1M欧的反馈电阻，STM32内部其实已经有这个电阻了，外部一般不需要再加。

32.768kHz的RTC晶振是可选的，如果你不用RTC功能，可以不焊。但如果要焊，同样要注意负载电容，通常是6pF或12.5pF，对应的电容值在10pF到22pF之间。RTC晶振的走线更要小心，因为它频率低、驱动能力弱，容易被干扰。

2.4 复位电路：阻容复位还是专用复位芯片

STM32F103C8T6的NRST引脚是低电平复位，内部有上拉电阻，但为了可靠复位，外部一般会加一个100nF电容到地，再配一个10k欧的上拉电阻。这就是最经典的阻容复位电路。

但阻容复位有个问题：如果电源上升速度慢，或者有抖动，复位引脚的电平可能处于不确定状态，导致MCU反复复位或者不复位。所以有些设计会用专用的复位芯片，比如MAX809或者STM32内部的POR/PDR电路。实际上STM32F103内部已经有上电复位和掉电复位电路，外部阻容复位主要是为了手动复位和增强抗干扰能力。

我的做法是：NRST引脚接一个100nF电容到地，再并一个10k欧上拉到3.3V，同时接一个复位按键。按键按下时NRST拉低，松开后电容充电，复位释放。这个电路简单可靠，实测下来没问题。注意电容不要太大，否则复位释放太慢，影响启动时间；也不要太小，否则抗干扰能力差。100nF是个比较平衡的值。

2.5 BOOT模式配置：别小看这两个引脚

BOOT0和BOOT1（PB2）决定了MCU上电后的启动模式。BOOT0=0时从主Flash启动，这是正常运行的模式；BOOT0=1、BOOT1=0时从系统存储器启动，也就是Bootloader模式，可以用串口下载程序；BOOT0=1、BOOT1=1时从SRAM启动，一般用于调试。

很多最小系统板为了省事，把BOOT0直接接地，这样确实能正常运行，但想用串口下载的时候就麻烦了。我的建议是BOOT0用一个2.54mm的排针加跳线帽，或者用一个0欧电阻选择。BOOT1一般不用改，直接接地就行，因为从SRAM启动的场景很少。

这里有个细节：BOOT0引脚在复位期间的电平会被锁存，所以跳线帽要在上电前就设置好。如果你在运行中改变BOOT0，不会立即生效，必须复位后才能进入对应的启动模式。

3. 原理图设计细节与参数计算

3.1 电源部分的完整设计

电源部分从USB的5V或者外部5V输入开始。首先加一个自恢复保险丝或者肖特基二极管做防反接保护，然后接LDO的输入端。LDO输入端加一个10uF的钽电容或者陶瓷电容，输出端加10uF加100nF。

这里有个计算：LDO的功耗P = (Vin - Vout) * Iout。假设Vin=5V，Vout=3.3V，Iout=150mA，那P = 1.7 * 0.15 = 0.255W。SOT-23封装的LDO热阻大约250°C/W，温升就是0.255 * 250 = 64°C。如果环境温度25°C，结温就是89°C，还在安全范围内。但如果电流再大，就要考虑换封装或者加散热铜皮。

去耦电容的布局：每个VDD引脚旁边放一个100nF，VBAT引脚也放一个100nF。另外在电源入口处放一个10uF的 bulk电容。这些电容要尽量靠近引脚，走线要短而粗。我一般会在PCB上把100nF电容放在MCU的同一面，紧贴引脚，电源走线先经过电容再进引脚。

3.2 晶振电路的参数确定

以8MHz晶振为例，假设晶振手册给出的负载电容CL=20pF，PCB寄生电容Cstray取4pF。那外部电容C1=C2=2*(CL - Cstray) = 2*(20-4) = 32pF。但实际常用的值是22pF到33pF，因为晶振的实际负载电容和手册值可能有偏差，而且Cstray的估算也不精确。

我的做法是：先按计算值选电容，焊好之后用频率计或者示波器测晶振频率，如果偏差大就调整电容值。一般来说，电容偏大频率会偏低，电容偏小频率会偏高。对于8MHz晶振，频率偏差在几十ppm以内都可以接受，因为PLL会倍频到72MHz，偏差也会被放大，所以晶振精度很重要。

晶振的走线：OSC_IN和OSC_OUT两根线要尽量短、尽量对称，最好包地处理。晶振下方不要走其他信号线，尤其是SWD或者USB的差分线。如果板子空间允许，晶振周围可以加一个接地屏蔽罩的焊盘，但一般最小系统板不需要这么讲究。

3.3 复位电路的参数选择

NRST引脚的复位电路：100nF电容到地，10k欧上拉到3.3V。复位按键并联在电容两端，按下时NRST拉低。

复位时间常数τ = R * C = 10k * 100nF = 1ms。复位释放后，NRST电压从0上升到3.3V的63%需要1ms，上升到90%需要2.3ms。STM32的复位阈值大约是2V左右，所以复位释放时间大约在1ms到2ms之间。这个时间足够MCU完成上电初始化。

如果电容取大了，比如1uF，那τ=10ms，复位释放要20多ms，启动会变慢。如果电容取小了，比如10nF，τ=0.1ms，抗干扰能力就差，容易误复位。所以100nF是个比较合适的值。

3.4 SWD调试接口的接线

SWD接口只需要两根线：SWDIO和SWCLK，再加上GND和3.3V。SWDIO对应PA13，SWCLK对应PA14。这两个引脚在MCU内部有上拉，外部一般不需要再加。

但要注意：PA13和PA14在复位后默认是SWD功能，如果你在程序里把它们配置成普通GPIO，那下次下载程序的时候就连不上了。所以调试接口的引脚要谨慎复用，或者用SWD的复位引脚（NRST）配合下载器强制复位。

SWD接口的布局：尽量靠近MCU，走线短而直，不要和晶振或者电源走线平行。如果板子上有多个GND引脚，SWD的GND要单独走一根线到MCU的GND，不要和功率地混在一起。

3.5 其他外围电路：LED、按键、USB

最小系统板一般会加一个电源指示灯和一个用户LED。电源指示灯接在3.3V和GND之间，串一个1k欧电阻。用户LED接在某个GPIO上，比如PC13，串一个470欧到1k欧的电阻。

按键可以加一个复位按键和一个用户按键。用户按键接在某个GPIO上，另一端接地，GPIO配置为上拉输入。注意按键要加消抖电容，一般100nF就够了。

USB接口如果只是供电，那只需要VBUS和GND。如果要用来通信，那D+和D-要接PA12和PA11，并且要加22欧的匹配电阻。USB的差分线要走90欧姆的差分阻抗，走线要等长、平行、尽量短。

4. PCB布局布线的实操要点

4.1 布局原则：先大后小，先核心后外围

PCB布局的第一步是把MCU放在板子中间或者偏一侧，然后围绕MCU放置晶振、复位电路、去耦电容、LDO、接口。

晶振要尽量靠近MCU的OSC引脚，走线长度最好控制在10mm以内。去耦电容要放在MCU的同一面，紧贴VDD引脚，电源走线先经过电容再进引脚。LDO要放在电源入口附近，输入输出电容紧贴LDO引脚。

SWD接口放在板子边缘，方便插下载器。USB接口也放在边缘，方便插线。BOOT跳线放在容易操作的位置，不要被其他元件挡住。

4.2 电源走线：宽度和过孔的计算

电源走线的宽度要根据电流来算。1盎司铜厚的情况下，1mm宽的走线大约能承载1A的电流，温升10°C。但实际设计要留余量，我一般用0.5mm到1mm的走线宽度。

过孔的数量也要算：一个0.3mm孔径的过孔大约能承载0.5A的电流。如果电源电流是200mA，那一个过孔就够了。但为了降低阻抗，我一般会放两个过孔。

电源走线要尽量短而粗，避免走细长线。如果板子有多个电源层，那最好用平面分割，但最小系统板一般是双层板，所以电源走线要手动优化。

4.3 晶振走线：短、对称、包地

晶振的走线是最讲究的。OSC_IN和OSC_OUT两根线要尽量短，最好不超过10mm。两根线要对称，长度差控制在1mm以内。走线下方不要走其他信号线，尤其是高频信号。

晶振周围可以包地，但包地要完整，不要有断点。包地的过孔要密集，间距小于λ/20，对于8MHz信号，波长是37.5米，λ/20是1.875米，所以过孔间距只要小于1.8米就行，实际上随便放几个过孔就够了。

晶振的负载电容要放在晶振和MCU之间，走线要短。电容的接地端要直接接到GND平面，不要走长线。

4.4 去耦电容的布局：靠近引脚，先电容后引脚

去耦电容的作用是提供瞬态电流，所以必须靠近MCU的电源引脚。我一般把100nF电容放在MCU的同一面，紧贴引脚，电源走线先经过电容再进引脚。

电容的接地端要直接接到GND平面，过孔要尽量靠近电容的焊盘。如果板子是双层板，那GND走线要尽量宽，最好铺地。

多个去耦电容之间不要串联，要并联。每个VDD引脚都要有独立的去耦电容，不要共用。

4.5 接地处理：单点接地还是多点接地

最小系统板的接地一般用多点接地，也就是铺地。双层板的底层可以整层铺地，顶层的空白区域也铺地，然后通过过孔连接。

但要注意：模拟地和数字地要分开。STM32F103C8T6有VDDA和VSSA引脚，这是模拟电源和模拟地。如果板子上有ADC或者DAC应用，那VDDA要单独走线，VSSA要单独接地，最后在一点汇合。

如果不用模拟功能，VDDA可以接VDD，VSSA可以接VSS。但为了保险，我一般还是会把VDDA和VSSA单独处理，加一个磁珠或者0欧电阻连接。

4.6 丝印和标注：方便调试和焊接

丝印要清晰标注每个引脚的功能，尤其是电源、地、SWD、BOOT、晶振这些关键引脚。元件位号要放在元件旁边，不要被挡住。

我一般会在板子上标注版本号、日期、设计者信息，方便后续维护。接口的引脚定义也要标清楚，比如SWD接口的1脚是3.3V、2脚是SWDIO、3脚是SWCLK、4脚是GND。

5. 实操过程与核心环节实现

5.1 从零开始画原理图的完整流程

第一步：新建工程，选择STM32F103C8T6的符号。如果库里没有，可以从官网下载或者自己画。自己画的时候要注意引脚编号和名称要和数据手册一致。

第二步：放置MCU，然后依次放置电源电路、复位电路、晶振电路、BOOT电路、SWD接口、LED和按键。

第三步：连接网络。电源网络用VDD_3V3和GND，晶振网络用OSC_IN和OSC_OUT，复位网络用NRST，SWD网络用SWDIO和SWCLK。

第四步：检查连接。用ERC（电气规则检查）工具检查有没有未连接的引脚、电源冲突、短路等问题。

第五步：分配封装。每个元件都要指定正确的封装，比如MCU用LQFP48，电阻电容用0603或者0805，晶振用HC-49S或者贴片晶振。

第六步：生成网表，导入PCB。

5.2 关键参数的实测与验证

晶振频率的测量：用示波器接在OSC_OUT引脚上，探头要选10X档，避免探头电容影响晶振。测到的频率应该在8MHz附近，偏差在几十ppm以内。

电源纹波的测量：用示波器接在3.3V和GND之间，探头要选AC耦合，带宽限制到20MHz。测到的纹波应该在几十mV以内，如果超过100mV就要检查去耦电容和LDO。

复位时间的测量：用示波器接在NRST引脚上，按下复位按键，观察NRST从低到高的上升时间。应该在1ms到2ms之间。

SWD通信的验证：用ST-Link或者J-Link连接SWD接口，用STM32CubeProgrammer或者Keil MDK尝试连接。如果能读到芯片ID，说明SWD通信正常。

5.3 焊接与调试的注意事项

焊接顺序：先焊MCU，再焊晶振、复位电路、LDO，最后焊接口和按键。MCU的引脚比较密，建议用热风枪或者细烙铁头，加助焊剂，避免连锡。

焊接温度：无铅焊锡的熔点大约217°C，烙铁温度建议320°C到350°C，热风枪温度建议300°C到350°C。温度太高会损坏元件，温度太低会虚焊。

调试步骤：先不焊MCU，只焊电源部分，上电测3.3V是否正常。然后焊MCU，测晶振是否起振。然后连SWD，测能否下载程序。最后焊其他外围，测功能是否正常。

5.4 程序下载与运行验证

用STM32CubeMX配置时钟：HSE选8MHz，PLL倍频到72MHz，AHB、APB1、APB2的分频系数按默认设置。生成代码后，在main函数里加一个LED闪烁的程序。

编译下载：用Keil MDK或者STM32CubeIDE编译，用ST-Link下载。下载成功后，复位MCU，观察LED是否闪烁。

如果LED不闪，检查：BOOT0是否接地、晶振是否起振、复位电路是否正常、电源是否稳定、SWD是否连接正确。

6. 常见问题与排查技巧实录

6.1 晶振不起振的排查思路

晶振不起振是最常见的问题之一。排查步骤：

1. 测晶振引脚电压：正常情况下OSC_IN和OSC_OUT的电压应该在1V到2V之间，接近VDD/2。如果电压是0V或者3.3V，说明晶振没起振。

2. 检查负载电容：电容值是否匹配晶振的负载电容要求。如果不确定，可以试着换小一点的电容，比如从22pF换到10pF。

3. 检查焊接：晶振和电容是否虚焊，引脚是否短路。

4. 检查PCB布局：晶振走线是否太长，是否靠近干扰源。

5. 换晶振：有些晶振质量不好，起振困难，换一个品牌的试试。

6.2 SWD连接失败的常见原因

SWD连接失败的原因很多，常见的有：

• BOOT0没有接地，MCU进入了Bootloader模式。
• SWDIO和SWCLK接反了。
• NRST没有接，下载器无法复位MCU。
• MCU的SWD引脚被程序配置成了普通GPIO。
• 电源不稳定，MCU工作异常。
• 下载器的驱动没有安装好。

排查方法：先用万用表测SWDIO和SWCLK的对地阻抗，正常应该在几十k欧到几百k欧之间。如果阻抗很低，说明有短路。然后测NRST电压，正常应该是3.3V。最后用下载器的复位模式，选择"Connect under reset"。

6.3 电源纹波过大的解决方法

电源纹波过大可能导致MCU工作不稳定、ADC采样不准、晶振频率偏移。解决方法：

• 增加去耦电容：每个VDD引脚加100nF，电源入口加10uF。
• 换LDO：有些LDO的纹波抑制比不好，换一个PSRR高的LDO。
• 优化布局：去耦电容靠近引脚，电源走线短而粗。
• 加LC滤波：在电源入口加一个磁珠和电容组成的LC滤波器。

6.4 复位电路误触发的处理

复位电路误触发表现为MCU频繁复位或者上电不运行。原因可能是：

• 复位电容太小，抗干扰能力差。
• 复位走线太长，引入了干扰。
• 复位按键没有消抖电容。
• 电源上升速度慢，复位释放时间不够。

解决方法：增大复位电容到100nF，缩短复位走线，加消抖电容，检查电源上升时间。

6.5 常见问题速查表

6.6 独家避坑技巧

第一个坑：晶振的负载电容不要照抄别人的值。我见过有人用22pF的电容配6pF负载电容的晶振，结果晶振频率偏了100多ppm，PLL倍频后偏差更大，串口通信都出问题。一定要看自己用的晶振手册。

第二个坑：BOOT0不要直接接地。留一个跳线帽，调试的时候方便。我因为BOOT0接地，想用串口下载的时候拆了好几次板子。

第三个坑：去耦电容不要省。有人觉得100nF电容太多，只放一个10uF的，结果MCU工作不稳定。每个VDD引脚都要有100nF，这是底线。

第四个坑：SWD接口的GND要单独走线。如果和功率地混在一起，下载的时候容易受干扰，连接不稳定。

第五个坑：LDO的输入输出电容不要省。有人只放输出电容，不放输入电容，结果LDO自激振荡，输出电压不稳。

第六个坑：晶振下方不要走线。我见过有人在晶振下方走了一根PWM信号线，结果晶振频率被调制，MCU跑飞。

第七个坑：复位按键要加消抖电容。不加的话，按一次复位可能触发多次复位，MCU启动异常。

第八个坑：PCB的丝印要标清楚。调试的时候找不到引脚，浪费时间。

7. 从设计到量产的延伸思考

7.1 国产替代料的选型考量

STM32F103C8T6的国产替代料不少，比如GD32F103C8T6、APM32F103C8T6、CH32F103C8T6等。这些料在引脚和寄存器层面基本兼容，但也有一些差异。

GD32F103C8T6的主频可以跑到108MHz，Flash和SRAM更大，但功耗也更高。APM32F103C8T6的功耗更低，适合电池供电。CH32F103C8T6的价格更便宜，但生态和资料相对少一些。

选替代料的时候要注意：晶振的负载电容要求可能不同，复位电路的门限电压可能不同，SWD的时序可能不同。最好先买样品测试，确认兼容性后再批量使用。

7.2 PCB打样和SMT的注意事项

PCB打样的时候要注意：板厚选1.6mm，铜厚选1盎司，表面处理选沉金或者喷锡。沉金的可焊性更好，但价格贵一些。喷锡便宜，但平整度差一些。

SMT的时候要注意：元件的封装要和PCB的焊盘匹配，钢网的开口要合适，回流焊的温度曲线要调好。MCU的引脚比较密，容易连锡，建议用免清洗助焊剂。

7.3 后续功能扩展的方向

最小系统板跑通之后，可以扩展很多功能：加一个OLED显示屏，加一个DHT11温湿度传感器，加一个WS2812B灯带，加一个TB6612电机驱动，加一个编码器接口，加一个CAN收发器，加一个USB转串口芯片。

扩展的时候要注意：电源的电流要够，GPIO的驱动能力要够，通信接口的电平要匹配。比如WS2812B需要5V供电，但数据线是3.3V电平，可能需要电平转换。

7.4 加密和固件保护

STM32F103C8T6支持读保护（RDP）和写保护（WRP）。读保护可以防止别人通过SWD读出Flash里的程序，写保护可以防止程序被篡改。

设置读保护的方法：用STM32CubeProgrammer或者ST-Link Utility，在Option Bytes里设置RDP等级。等级1是读保护，等级2是永久读保护（不可逆）。设置之前要确认程序已经调试完毕，因为设置读保护后SWD就读不出Flash了。

固件保护还可以用唯一ID加密：每个STM32F103C8T6都有一个96位的唯一ID，可以用这个ID生成密钥，程序运行时校验密钥，防止固件被复制到其他芯片上运行。

7.5 低功耗设计的考虑

如果最小系统板要用在电池供电的场景，低功耗设计就很重要。STM32F103C8T6支持睡眠、停止、待机三种低功耗模式。待机模式的电流可以低到2uA左右。

低功耗设计的要点：不用的外设要关闭时钟，不用的GPIO要配置成模拟输入或者下拉，LDO要选静态电流小的，LED要选低功耗的或者去掉。

晶振也可以选择低功耗的，比如32.768kHz的RTC晶振在待机模式下可以保持运行，主晶振可以关闭。

8. 个人实操体会与建议

画这块板子前后我打了五版，前两版都有各种小问题，第三版开始稳定。最大的体会是：最小系统板看着简单，但每一个元件、每一根走线都有它的道理，不能随便省。

晶振的负载电容一定要看手册，不要抄别人的值。BOOT0一定要留跳线，不要直接接地。去耦电容一定要每个VDD引脚都放，不要省。SWD接口的GND一定要单独走线，不要和功率地混在一起。

还有一点：PCB布局的时候，先放MCU，再放晶振和去耦电容，再放LDO和接口。晶振和去耦电容要尽量靠近MCU，LDO要靠近电源入口。走线的时候，电源线要粗，信号线要短，晶振线要对称。

最后分享一个小技巧：板子焊好之后，先不要急着上电，用万用表测一下3.3V和GND之间的阻抗，正常应该在几百欧到几千欧之间。如果阻抗很低，说明有短路，要先排查再上电。这个习惯帮我避免了好几次烧芯片的事故。

这个板子后续还可以扩展成一个完整的开发平台，加显示屏、传感器、通信模块，做成一个通用的嵌入式开发板。但那是下一步的事了，先把最小系统跑稳，后面的事情自然水到渠成。