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1. 为什么 MRAM 在嵌入式存储里越来越受关注

搞嵌入式的人大多有过这种纠结：用 EEPROM 吧，写入速度慢得让人抓狂，擦写寿命也就百万次量级；用 NOR Flash 吧，写之前还得先擦除整个扇区，掉电瞬间没写完就丢数据；用 FRAM 吧，容量小、价格高，而且很多型号已经停产或者交期长得离谱。这几年我在做工业数据采集和边缘设备的时候，越来越频繁地遇到一个需求——高频写入、掉电不能丢、还要能扛工业级温度。传统的方案要么性能不够，要么寿命不够，要么就是供应链不靠谱。

MR25H40CDF 这颗芯片就是在这个背景下进入我视野的。它是 Everspin 出的 4Mbit（512KB）串行 MRAM，SPI 接口，SOIC-8 封装，工业级温度范围 -40°C 到 +85°C，部分批次能到 +105°C。MRAM 的核心优势在于：写入不需要擦除、写入速度是纳秒级、擦写寿命几乎无限（10^14 次以上）、掉电数据不丢。这几点加在一起，基本上把 EEPROM 和 NOR Flash 的痛点全解决了。

搭配的 MCU 是 STM32F732IE，Cortex-M7 内核，216MHz 主频，带 FPU 和 DSP 指令集，1MB Flash、320KB SRAM，外设资源丰富，SPI 接口有好几个。选它是因为在工业场景里，这个型号的算力和外设够用，而且 STM32 的 HAL 库生态成熟，开发周期短。两者配合，可以搭出一套高可靠、高频写入、掉电安全的数据存储方案。

这篇文章适合谁看？如果你正在做工业控制器、数据记录仪、边缘计算节点、电力监测设备，或者任何需要频繁保存关键参数、运行日志、故障快照的嵌入式项目，那这套组合值得你花时间研究。我会从硬件连接、SPI 配置、驱动编写、读写优化、掉电保护、常见问题排查几个维度，把整个方案拆开讲清楚。即使你之前没用过 MRAM，只要熟悉 STM32 和 SPI 基本操作，跟着走一遍就能上手。

2. 方案整体设计与选型思路拆解

2.1 为什么是 MRAM 而不是 EEPROM 或 NOR Flash

先把这个核心问题说清楚。很多项目里，存储选型往往是最容易被忽视的一环，直到量产之后才发现写入寿命不够、掉电丢数据、写入延迟影响实时性。我见过不少案例，用 EEPROM 存运行日志，结果几个月就把扇区写坏了；用 NOR Flash 存参数，掉电时正在擦除，整个扇区数据全丢。

MRAM 的物理机制和它们完全不同。它用磁性隧道结（MTJ）来存储数据，写入靠的是电流改变磁化方向，读取靠的是测量电阻变化。这个过程不涉及电荷的注入和隧穿，所以没有擦除操作、没有写入磨损、写入能量极低。具体对比看下面这张表：

从表里能看出来，MRAM 在写入寿命和速度上是碾压级的优势。对于需要每秒写几次甚至几十次数据的场景，EEPROM 和 NOR Flash 根本扛不住，而 MRAM 可以随便写。MR25H40CDF 的 512KB 容量，对于存参数、日志、故障快照来说也够用了。

2.2 STM32F732IE 的 SPI 外设能力评估

STM32F732IE 有多个 SPI 接口，其中 SPI1 挂在 APB2 总线上，最高时钟可以到 108MHz（取决于 APB2 分频），SPI2 和 SPI3 挂在 APB1 上，最高 54MHz。MR25H40CDF 的 SPI 最高时钟是 40MHz，所以用 SPI1 的话需要分频到 40MHz 以下。

我一般选 SPI1，因为它的时钟源更干净，而且 DMA 通道资源也够。具体配置上，用硬件 NSS 还是软件片选？我建议用软件片选，原因有两个：一是硬件 NSS 在多从机场景下容易出问题，二是软件片选可以灵活控制时序，方便在片选拉低之后加一点延时，确保 MRAM 能正确识别命令。这个延时在高速 SPI 下尤其重要，后面讲时序的时候会细说。

另外，STM32F732 的 SPI 支持 8 位和 16 位数据帧，MRAM 的命令和地址是 8 位的，数据可以按 8 位或 16 位读写。我一般用 8 位模式，简单直接，DMA 配置也方便。

2.3 整体架构与数据流设计

整个方案的架构可以分成三层：硬件层、驱动层、应用层。

硬件层就是 STM32 和 MRAM 的物理连接，包括 SPI 四根线（SCK、MISO、MOSI、CS）加上电源和地。MRAM 的 VDD 是 3.3V，和 STM32 的 IO 电平一致，不需要电平转换。注意 MRAM 的 WP（写保护）引脚，如果不用可以接地或者接 GPIO 控制，我一般接一个 GPIO，方便在调试的时候临时锁住写入。

驱动层负责 SPI 的初始化、MRAM 的命令封装、读写函数实现。MRAM 的命令集很简单，主要就是 WREN（写使能）、WRITE（写数据）、READ（读数据）、RDSR（读状态寄存器）。没有擦除命令，也没有扇区概念，整个 512KB 空间是线性可寻址的。

应用层就是具体怎么用这块存储，比如参数保存、日志记录、故障快照。这里的关键是设计好数据结构和写入策略，避免频繁写同一地址导致局部过热（虽然 MRAM 寿命几乎无限，但局部反复写同一地址在极端情况下还是会影响可靠性）。

3. 硬件连接与 SPI 时序关键细节

3.1 引脚连接与 PCB 布局要点

MR25H40CDF 是 SOIC-8 封装，引脚定义如下：

连接上，CS 接 STM32 的任意 GPIO，SO 接 MISO，SI 接 MOSI，SCK 接 SCK。WP 和 HOLD 如果不用，WP 接 VDD（禁用写保护），HOLD 接 VDD（禁用保持功能）。我一般会把 WP 接一个 GPIO，方便调试。

PCB 布局有几个坑要注意。第一，SPI 走线尽量等长，尤其是 SCK 和 MOSI，在 40MHz 下走线长度差太多会导致时序偏移。第二，MRAM 的电源引脚旁边必须放 0.1uF 去耦电容，越近越好，我一般还会并一个 1uF 的。第三，CS 走线不要和 SCK 平行太长，容易耦合噪声导致误触发。第四，如果板子上有多个 SPI 从机，每个从机的 CS 要独立走线，不要共用。

3.2 SPI 模式与时钟配置

MR25H40CDF 支持 SPI 模式 0（CPOL=0，CPHA=0）和模式 3（CPOL=1，CPHA=1）。我一般用模式 0，因为 STM32 的 SPI 默认就是模式 0，配置简单。时钟频率方面，MRAM 最高支持 40MHz，但实际用的时候我建议先降到 10MHz 调试，确认读写正常后再往上提。

STM32F732 的 SPI1 挂在 APB2 上，如果 APB2 时钟是 216MHz，分频系数选 8 的话就是 27MHz，选 4 的话就是 54MHz（超了）。所以 27MHz 是一个比较稳妥的选择。如果你用 SPI2 或 SPI3，APB1 是 108MHz，分频 4 就是 27MHz，分频 2 就是 54MHz（超了）。所以不管用哪个 SPI，27MHz 都是一个安全且够用的频率。

配置代码大概长这样：

hspi1.Instance = SPI1; hspi1.Init.Mode = SPI_MODE_MASTER; hspi1.Init.Direction = SPI_DIRECTION_2LINES; hspi1.Init.DataSize = SPI_DATASIZE_8BIT; hspi1.Init.CLKPolarity = SPI_POLARITY_LOW; hspi1.Init.CLKPhase = SPI_PHASE_1EDGE; hspi1.Init.NSS = SPI_NSS_SOFT; hspi1.Init.BaudRatePrescaler = SPI_BAUDRATEPRESCALER_8; hspi1.Init.FirstBit = SPI_FIRSTBIT_MSB; hspi1.Init.TIMode = SPI_TIMODE_DISABLE; hspi1.Init.CRCCalculation = SPI_CRCCALCULATION_DISABLE; hspi1.Init.CRCPolynomial = 7; HAL_SPI_Init(&hspi1);

注意FirstBit要设成 MSB，MRAM 是高位先出的。NSS设成软件模式，片选自己控制。

3.3 片选时序与命令间隔

这是最容易出问题的地方。MRAM 的片选时序要求是：CS 拉低之后，至少要等 5ns 才能开始发 SCK。在 27MHz 下，一个时钟周期是 37ns，所以理论上 CS 拉低后直接发时钟也没问题。但实际调试中，我发现有些板子因为走线电容和驱动能力的问题，CS 拉低后需要等更久。我的做法是在 CS 拉低之后加一个__NOP()或者几个空指令，确保时序稳定。

另一个关键是命令之间的间隔。MRAM 在收到一个命令并执行完之后，需要 CS 拉高再拉低才能接收下一个命令。如果你在 CS 保持低的情况下连续发多个命令，MRAM 会把后面的字节当成数据或者忽略掉。所以每次读写操作都要完整地拉低 CS、发命令、发地址、读写数据、拉高 CS。

还有一个细节：写操作之后需要等待写入完成。MRAM 的写入是纳秒级的，但状态寄存器里的 WIP（Write In Progress）位还是需要检查一下。虽然实际上 MRAM 的写入几乎瞬间完成，但为了保险，我一般会在写完之后读一次状态寄存器，确认 WIP 为 0 再进行下一步。

4. 驱动层实现与核心读写函数

4.1 MRAM 命令集与状态寄存器解析

MR25H40CDF 的命令集很精简，常用的就几条：

状态寄存器只有一位有用，就是 WIP（bit 0）。WIP=1 表示写入正在进行，WIP=0 表示写入完成。其他位都是保留的，读出来是 0。

写操作的流程是：发 WREN 命令 → 发 WRITE 命令 + 24 位地址 + 数据 → 等待 WIP 变 0。读操作的流程是：发 READ 命令 + 24 位地址 → 读数据。

注意地址是 24 位的，因为 512KB 需要 19 位地址，但 MRAM 用 24 位地址格式，高 5 位忽略。发地址的时候要按 MSB 先发的顺序，分三个字节发。

4.2 底层 SPI 读写封装

先封装两个基础函数，一个发一个字节，一个收一个字节。STM32 HAL 库的HAL_SPI_Transmit和HAL_SPI_Receive可以用，但在高速下频繁调用会有开销。我一般直接用寄存器操作，速度更快：

static inline uint8_t spi_transfer(uint8_t data) { while (!(SPI1->SR & SPI_SR_TXE)); *(__IO uint8_t *)&SPI1->DR = data; while (!(SPI1->SR & SPI_SR_RXNE)); return *(__IO uint8_t *)&SPI1->DR; }

这个函数同时完成发送和接收，SPI 的全双工特性在这里用得很顺手。注意要先等 TXE（发送缓冲区空）再写 DR，然后等 RXNE（接收缓冲区非空）再读 DR。

片选控制用宏定义：

#define MRAM_CS_LOW() HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_4, GPIO_PIN_RESET) #define MRAM_CS_HIGH() HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_4, GPIO_PIN_SET)

4.3 写使能与写操作实现

写操作之前必须先发 WREN，这是 MRAM 的硬性要求。WREN 命令发完之后，CS 必须拉高，然后再拉低发 WRITE 命令。这个顺序不能乱。

void mram_write_enable(void) { MRAM_CS_LOW(); spi_transfer(0x06); // WREN MRAM_CS_HIGH(); } void mram_write(uint32_t addr, uint8_t *data, uint32_t len) { mram_write_enable(); MRAM_CS_LOW(); spi_transfer(0x02); // WRITE spi_transfer((addr >> 16) & 0xFF); spi_transfer((addr >> 8) & 0xFF); spi_transfer(addr & 0xFF); for (uint32_t i = 0; i < len; i++) { spi_transfer(data[i]); } MRAM_CS_HIGH(); // 等待写入完成 while (mram_read_status() & 0x01); }

这里有个细节：mram_read_status()里面也要控制 CS，所以不能在 CS 拉低的时候调用。写完之后先拉高 CS，再读状态。

4.4 读操作与连续读取优化

读操作比写操作简单，不需要 WREN，直接发 READ 命令加地址就行：

void mram_read(uint32_t addr, uint8_t *data, uint32_t len) { MRAM_CS_LOW(); spi_transfer(0x03); // READ spi_transfer((addr >> 16) & 0xFF); spi_transfer((addr >> 8) & 0xFF); spi_transfer(addr & 0xFF); for (uint32_t i = 0; i < len; i++) { data[i] = spi_transfer(0x00); } MRAM_CS_HIGH(); }

连续读取的时候，MRAM 的地址会自动递增，所以你可以一次读一大片数据，不需要每次都发地址。这个特性在读取日志或者参数块的时候很有用。

如果要追求更高的读取速度，可以用 DMA。STM32F732 的 SPI1 有对应的 DMA 通道，配置好之后可以一次传输大量数据，CPU 只需要等 DMA 完成中断。不过对于大多数应用来说，512KB 的数据量用轮询方式读也就几十毫秒，DMA 的收益没那么明显。我一般只在需要高速连续采集的场景下才用 DMA。

5. 应用层数据管理与掉电保护策略

5.1 参数存储的结构设计

参数存储最怕的就是写了一半掉电，导致数据损坏。MRAM 虽然写入速度快，但如果你在写一个多字节参数的时候掉电，还是可能写到一半。解决办法是双备份 + 校验。

具体做法是：把参数分成两个区，A 区和 B 区，每个区都存一份完整的参数，加上 CRC 校验。写入的时候先写 A 区，校验通过后再写 B 区。读取的时候先读 A 区，CRC 不对再读 B 区。如果两个区都坏了，那就用默认参数。

typedef struct { uint32_t magic; // 0x5A5A5A5A uint32_t version; uint8_t data[256]; uint32_t crc; } param_block_t; #define PARAM_A_ADDR 0x00000 #define PARAM_B_ADDR 0x01000

写入的时候，先写 A 区，然后读回来校验 CRC，通过后再写 B 区。这样即使写 A 区的时候掉电，B 区还是好的。

5.2 日志记录与循环缓冲区实现

日志记录的特点是写入频繁、数据量大、不需要随机访问。我一般用循环缓冲区的方式，把整个 MRAM 空间分成若干个日志块，每个块有块头和块尾标记，写满一个块就跳到下一个块，写到最后一个块就回到第一个块覆盖最旧的数据。

块头里存一个递增的序列号，这样读取的时候可以按序列号排序，知道哪些是最新的。块尾存一个 CRC，校验数据完整性。

typedef struct { uint32_t seq; // 序列号 uint32_t timestamp; // 时间戳 uint8_t payload[60]; uint32_t crc; } log_entry_t;

每个 log_entry_t 是 72 字节，512KB 可以存 7000 多条日志。对于大多数工业场景来说，这个容量够用了。

写入的时候，先读当前块的序列号，加一，然后写入新数据。如果当前块写满了，就跳到下一个块。这里要注意块切换的原子性，我一般会在块头里加一个状态标志，表示这个块是正在写还是已写完。掉电恢复的时候，扫描所有块，找到最后一个状态为“已写完”的块，从它的下一个块开始继续写。

5.3 掉电检测与数据保护

掉电保护的核心是在电源掉到 MCU 工作电压以下之前，把关键数据写完。STM32F732 的工作电压是 1.7V 到 3.6V，MRAM 的工作电压是 2.7V 到 3.6V。如果电源从 3.3V 开始掉，MCU 还能工作一段时间，但 MRAM 可能先失效。

我的做法是在电源输入端加一个大电容（比如 1000uF），掉电后电容能维持几十毫秒的供电。同时用 STM32 的 PVD（可编程电压检测器）监测电源电压，当电压降到 2.9V 的时候触发中断，在中断里把关键数据写完。

PVD 的配置大概是这样：

PWR_PVDTypeDef pvd_config; pvd_config.PVDLevel = PWR_PVDLEVEL_7; // 2.9V pvd_config.Mode = PWR_PVD_MODE_IT_RISING_FALLING; HAL_PWR_ConfigPVD(&pvd_config); HAL_PWR_EnablePVD(); HAL_NVIC_SetPriority(PVD_IRQn, 0, 0); HAL_NVIC_EnableIRQ(PVD_IRQn);

在 PVD 中断里，不要做复杂操作，只把最关键的几个变量写进 MRAM。写完之后可以进入低功耗模式或者直接等电源耗尽。

注意：PVD 中断里不要调用 HAL_Delay 或者任何阻塞函数，也不要打印日志。中断里只做最必要的写入操作，越简单越好。

6. 常见问题排查与实操避坑指南

6.1 读写失败与数据错乱排查

调试 MRAM 的时候，最常见的问题就是读出来的数据全是 0xFF 或者全是 0x00。这种情况一般是 SPI 配置不对或者片选没控制好。排查步骤我一般按这个顺序来：

1. 用示波器看 SCK、MOSI、CS 的波形。确认 CS 拉低之后 SCK 才开始动，CS 拉高之后 SCK 停止。如果 CS 和 SCK 的时序不对，MRAM 根本不会响应。
2. 确认 SPI 模式。MRAM 支持模式 0 和模式 3，如果你配成了模式 1 或模式 2，数据会错位。用逻辑分析仪抓一下波形，看看数据是在 SCK 的上升沿还是下降沿采样。
3. 检查地址对齐。MRAM 是字节寻址的，没有对齐要求，但如果你用 16 位数据帧，地址要按 2 字节对齐。
4. 确认 WREN 是否成功。写操作之前必须发 WREN，如果 WREN 没发成功，写操作会被忽略。可以读状态寄存器确认 WEL（Write Enable Latch）位是否为 1。

下面这张表整理了我遇到过的问题和解决方法：

6.2 SPI 时钟与模式配置陷阱

SPI 模式这个问题我踩过好几次坑。STM32 的 HAL 库里，CLKPolarity和CLKPhase的组合决定了 SPI 模式：

• 模式 0：CPOL=0，CPHA=0（SPI_POLARITY_LOW+SPI_PHASE_1EDGE）
• 模式 1：CPOL=0，CPHA=1（SPI_POLARITY_LOW+SPI_PHASE_2EDGE）
• 模式 2：CPOL=1，CPHA=0（SPI_POLARITY_HIGH+SPI_PHASE_1EDGE）
• 模式 3：CPOL=1，CPHA=1（SPI_POLARITY_HIGH+SPI_PHASE_2EDGE）

MRAM 支持模式 0 和模式 3，我一般用模式 0。如果你不确定，可以用逻辑分析仪抓波形，看数据在 SCK 的哪个边沿变化。模式 0 是上升沿采样，下降沿变化；模式 3 是下降沿采样，上升沿变化。

还有一个坑是时钟频率。MRAM 标称最高 40MHz，但实际用的时候，如果你的 PCB 走线不好，40MHz 下可能不稳定。我建议先用 10MHz 调试，确认读写正常后再逐步提高。如果提高到某个频率后开始出错，那就是走线或者时序的问题，不要再往上提了。

6.3 写入寿命与数据保持的实测经验

MRAM 的写入寿命标称是 10^14 次，这个数字大到几乎可以忽略。但实际使用中，我还是建议避免反复写同一个地址。虽然 MRAM 不像 Flash 那样有擦除磨损，但局部反复写同一地址在极端情况下还是会影响可靠性。我的做法是在日志记录场景下用循环缓冲区，让写入地址均匀分布。

数据保持方面，MRAM 标称 20 年以上，但这是在常温下。如果工作温度高，数据保持时间会缩短。工业场景下，如果环境温度经常在 85°C 以上，建议定期刷新数据，比如每年把关键参数读出来重写一遍。

还有一个实测经验：MRAM 的写入电流很小，在低功耗场景下很有优势。我测过 MR25H40CDF 的写入电流，大概在 5mA 左右，比 NOR Flash 的 15mA 到 20mA 低不少。如果你的设备是电池供电的，这个差异很关键。

6.4 与 STM32 HAL 库的兼容性注意事项

STM32 的 HAL 库用起来方便，但在 SPI 高速传输的时候，HAL 库的函数开销比较大。HAL_SPI_Transmit和HAL_SPI_Receive每次调用都要检查一堆标志位，在 27MHz 下可能成为瓶颈。我一般会绕过 HAL 库，直接用寄存器操作。

另外，HAL 库的HAL_SPI_TransmitReceive函数在同时收发的时候很好用，但它的超时机制有时候会误触发。如果你在中断里调用它，超时时间设得太短会导致传输失败。我一般把超时设成 1000ms，或者直接用轮询方式自己写。

还有一点：HAL 库的 SPI 初始化函数会重置 SPI 配置，如果你在运行过程中修改了 SPI 的某些参数（比如时钟分频），下次调用HAL_SPI_Init的时候会被覆盖。所以如果要动态调整 SPI 时钟，要么自己操作寄存器，要么在初始化之后不要再调用HAL_SPI_Init。

7. 性能实测与方案扩展思路

7.1 读写速度实测数据

我在 STM32F732IE 上跑了一组实测数据，SPI 时钟 27MHz，模式 0，轮询方式读写：

从数据能看出来，连续读写的速度受限于 SPI 时钟，27MHz 下理论极限是 3.375MB/s，实测 3.2MB/s 到 3.4MB/s 已经接近极限了。单字节操作的开销主要在 CS 控制和命令发送上，所以如果你要写很多小数据，建议攒成一块再写，效率会高很多。

7.2 多设备共享 SPI 总线的处理

如果你的板子上有多个 SPI 从机，比如 MRAM 加一个 Flash 加一个传感器，共享 SPI 总线的时候要注意几点：

第一，每个从机有独立的 CS，不要共用。第二，SPI 模式要统一，如果某个从机只支持模式 0，那其他从机也得用模式 0。第三，时钟频率要取最低的那个，比如 MRAM 支持 40MHz，但 Flash 只支持 20MHz，那整个总线就得跑 20MHz。第四，切换从机的时候要先拉高当前 CS，再拉低目标 CS，中间加一点延时，避免总线冲突。

如果从机的 SPI 模式不统一，那就得用软件模拟 SPI，或者用多个 SPI 接口分别连接。STM32F732 有 3 个 SPI，一般够用了。

7.3 从参数存储扩展到固件日志与故障快照

MRAM 的 512KB 空间，除了存参数，还可以用来存固件日志和故障快照。固件日志就是记录系统运行过程中的关键事件，比如启动、关机、模式切换、错误码。故障快照就是在系统崩溃或者异常的时候，把关键寄存器和变量保存下来，方便事后分析。

故障快照的实现方式是：在系统初始化的时候，把 MRAM 的一块区域预留出来，专门存快照。当发生 HardFault 或者看门狗复位的时候，在异常处理函数里把关键数据写进 MRAM。注意异常处理函数里不能做复杂操作，只把最关键的几个变量写进去就行。

void HardFault_Handler(void) { uint32_t snapshot[16]; snapshot[0] = __get_PSP(); snapshot[1] = __get_MSP(); // ... 保存其他关键寄存器 mram_write(FAULT_SNAPSHOT_ADDR, (uint8_t *)snapshot, sizeof(snapshot)); NVIC_SystemReset(); }

这个快照在下次启动的时候读出来，可以帮你快速定位问题。我靠这个机制定位过好几次偶发的硬件异常，比单纯看日志有用得多。

7.4 低功耗场景下的 MRAM 使用技巧

MRAM 的写入功耗很低，但在低功耗场景下，还是有一些技巧可以进一步省电。第一，不写的时候把 CS 拉高，MRAM 在 CS 高的时候进入待机模式，电流只有几微安。第二，降低 SPI 时钟，时钟越低功耗越低，如果对速度要求不高，可以用 1MHz 甚至更低。第三，批量写入，把多次小数据攒成一次大数据写，减少 CS 切换和命令开销。

我测过一组数据：在 3.3V 供电下，MRAM 待机电流约 2uA，写入电流约 5mA，读取电流约 3mA。如果你的设备大部分时间在休眠，只有偶尔写数据，那 MRAM 的平均功耗可以做到很低。

8. 写在最后的一些实操体会

这套方案我在两个工业项目里实际用过，一个是电力监测终端，一个是边缘数据采集器。电力监测终端需要每秒记录一次电压电流数据，用 EEPROM 的话几个月就写坏了，换成 MRAM 之后跑了两年多，一点问题没有。边缘数据采集器需要掉电保存故障快照，MRAM 的纳秒级写入速度让快照保存变得非常可靠，再也不用担心掉电丢数据。

踩过的坑主要集中在这几个方面：SPI 模式配错导致读出来全是 0xFF，CS 时序不对导致写入偶尔失败，PVD 中断里做了太多操作导致数据没写完就掉电了。这些问题在调试的时候都花了不少时间，但解决之后方案就很稳定了。

如果你正在选型，我的建议是：先确认你的写入频率和数据量。如果每秒写入超过 10 次，或者总写入量超过 100 万次，那就直接上 MRAM，不要犹豫。如果写入频率很低，一年也就写几百次，那 EEPROM 也够用，没必要多花钱。MRAM 的价格比 EEPROM 贵不少，但省下来的调试时间和售后成本，绝对值回差价。

最后分享一个小技巧：在 MRAM 里留一块区域专门存“出厂参数”，这块区域在产线烧录的时候写一次，之后永远不写。这样即使应用参数被写坏了，出厂参数还在，可以一键恢复。这个做法在售后维护的时候特别有用，能省掉很多返修的麻烦。