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6、DDR功耗管理:DDR功耗模型(Active/Precharge/Self-Refresh)、动态电压频率调整(DVFS)、高通平台功耗优化策略
2026/9/27 1:34:19 网站建设 项目流程

6.1 DDR功耗模型:Active / Precharge / Self-Refresh

DDR的功耗状态,说白了就三种:干活、待命、睡觉。我习惯把它们叫做Active、Precharge和Self-Refresh。

6.1.1 Active状态

Active就是DDR正在读写数据。这时候Bank是打开的,Row被激活了。功耗主要来自三块:

  • 激活电流(I_ACT):打开Row时瞬间的大电流,有点像汽车起步那一下
  • 读写电流(I_RW):数据在DQ线上来回跑,频率越高电流越大
  • 终止电流(I_Term):信号完整性需要的端接电阻,这个很多人会忽略

我在项目中遇到过一个问题:DDR在Active状态下功耗比预期高了15%。查了半天,发现是Bank冲突太多,导致频繁的Activate和Precharge。嗯,这里要注意,Bank冲突会让功耗直线上升。

6.1.2 Precharge状态

Precharge就是Bank关闭了,Row也关了,但CKE(时钟使能)还开着。这时候DDR处于低功耗待命状态,随时可以切回Active。

Precharge的功耗主要来自:

  • 预充电电流(I_PRE):关闭Row时给Bitline充电
  • 时钟树电流(I_CK):时钟还在跑,PLL还在工作

说白了,Precharge就是「我准备好了,但还没开始干活」。功耗大概是Active的30%-50%。

6.1.3 Self-Refresh状态

Self-Refresh是DDR的深度睡眠模式。这时候DDR自己给自己刷新,不需要外部时钟。功耗最低,但唤醒延迟也最大。

我做过一个测试:LPDDR5在Self-Refresh模式下,功耗只有Active的1%左右。但唤醒时间需要几百纳秒到几微秒。所以什么时候

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