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BQ25570微功耗能量收集实战:从引脚配置到VBAT_OK监控
2026/9/25 6:33:50 网站建设 项目流程

1. 为什么选择BQ25570做微功耗能量收集

搞过低功耗物联网节点的人都有一个共同的痛点:电池换不起。几百个传感器节点撒在楼宇、农田、管道井里,靠纽扣电池撑不过半年,派人去换电池的成本比设备本身还高。太阳能收集看起来是个好出路,但普通太阳能板在室内或者阴天时输出只有几十微瓦,传统DC-DC芯片的静态电流就能把这点能量吃干净。

BQ25570这颗芯片就是冲着这个场景来的。它的冷启动电压只要330mV,静态电流低到488nA(典型值),内部集成了升压充电器和可编程降压转换器,能把微瓦级的太阳能输入攒进可充电电池或超级电容里,再稳定输出给后级负载。我第一次用它是在一个户外环境监测项目上,太阳能板只有指甲盖大小,室内荧光灯下就能维持传感器每小时上报一次数据,这个表现确实让我有点意外。

这篇文章适合谁看?如果你正在做低功耗无线传感器、可穿戴设备、远程监测终端,或者单纯想玩一玩能量收集,BQ25570是个很好的入门选择。但它的引脚配置和寄存器设置确实有点绕,尤其是VBAT_OK这个状态监控机制,很多人第一次用会踩坑。下面我把整个实战过程拆开讲,从引脚怎么接、电阻怎么算,到VBAT_OK怎么监控、效率怎么优化,尽量把每个细节都说透。

2. BQ25570核心架构与引脚配置详解

2.1 芯片内部架构拆解

BQ25570内部可以分成三个主要模块:升压充电器、能量管理控制逻辑、降压转换器。升压充电器负责把太阳能板输入的0.1V到3V左右的电压抬升到可以给储能元件充电的水平,它采用的是脉冲频率调制(PFM)方式,只有在输入能量足够时才启动开关,这样静态功耗才能压到纳安级别。

能量管理控制逻辑是这颗芯片的灵魂。它通过外部电阻分压网络设定几个关键阈值:欠压锁定阈值(UV)、最大充电电压阈值(VBAT_OV)、VBAT_OK的上下限阈值(VOK_HI和VOK_LO)。这些阈值决定了芯片什么时候开始充电、什么时候停止、什么时候告诉后级“我电量充足”。

降压转换器是一个可编程输出的Buck,输入来自储能元件,输出可以设定在1.8V到3.3V之间,最大输出电流110mA。它的使能受VBAT_OK信号控制,也就是说只有当储能元件电压高于VOK_HI时,降压输出才打开,避免储能元件被后级负载抽干。

2.2 引脚功能逐个说清楚

BQ25570是20引脚QFN封装,引脚密度不低,第一次画PCB容易搞混。我把关键引脚按功能分组说明。

能量输入侧:

  • VIN_DC(引脚1):太阳能板正极输入。这个引脚内部有整流和保护电路,输入电压范围-0.3V到5.5V,但实际有效工作范围是0.1V到3V左右。注意太阳能板电压超过3V时效率会下降,选板子时开路电压最好控制在2.5V以内。
  • VOC_SAMP(引脚2):开路电压采样引脚。这个引脚配合外部电容使用,芯片每隔16秒左右断开输入,采样太阳能板的开路电压,然后根据开路电压的百分比来追踪最大功率点(MPPT)。采样电容典型值10nF,接在VOC_SAMP和GND之间。
  • VREF_SAMP(引脚3):参考电压采样保持引脚。外部接一个10nF电容到GND,芯片内部产生的参考电压会保持在这个电容上,用于MPPT比较。

储能元件侧:

  • VBAT(引脚4):储能元件正极连接点。可以接可充电锂电池、薄膜电池或者超级电容。这个引脚也是充电电流的输出端。
  • VSS(引脚5):地。
  • VBAT_OV(引脚6):过压阈值设定引脚。通过两个电阻分压从VBAT取电压,设定最大充电电压。当VBAT达到这个阈值时,充电停止。
  • VRDIV(引脚7):分压网络使能引脚。这个引脚输出一个使能信号,控制外部电阻分压网络的通断,目的是减少分压电阻上的静态功耗。它通常在芯片采样阈值时才拉高,平时是低电平。
  • OT_PROG(引脚8):过温保护阈值设定。接一个电阻到GND,设定芯片过温关断点。如果不使用可以悬空,但建议接一个100kΩ电阻设定在85°C左右。
  • OK_PROG(引脚9):VBAT_OK上限阈值设定。通过电阻分压网络设定。
  • OK_HYST(引脚10):VBAT_OK迟滞设定。通过电阻分压网络设定下限阈值。

状态输出侧:

  • VBAT_OK(引脚11):开漏输出,需要外部上拉电阻。当VBAT电压高于VOK_HI时输出高电平,低于VOK_LO时输出低电平。这个信号用来使能后级负载或者通知MCU。
  • BAT_GOOD(引脚12):另一个状态输出,也是开漏。当VBAT高于UV阈值时输出高,表示储能元件已经可以正常供电。

降压输出侧:

  • VOUT(引脚13):降压转换器输出。
  • VOUT_SET(引脚14):输出电压设定。通过电阻分压从VOUT取电压,设定输出电压值。
  • LBOOST(引脚15、16):升压电感连接点。接一个10μH到22μH的电感。
  • LBUCK(引脚17、18):降压电感连接点。接一个10μH到22μH的电感。
  • VOUT_EN(引脚19):降压使能输入。可以外部控制,也可以直接接VBAT_OK。
  • SW_BUCK(引脚20):降压开关节点,接电感。

2.3 引脚配置的实操要点

画原理图时最容易出错的地方是分压电阻网络。BQ25570的阈值设定全部依赖外部电阻分压,芯片内部有一个固定的参考电压,通常是1.21V左右(具体看数据手册)。分压电阻的精度直接影响阈值准确性,建议用1%精度的薄膜电阻,温度系数50ppm/°C以内。

另一个坑是VRDIV引脚的使用。很多人不知道这个引脚的作用,直接把它悬空或者接高电平,结果分压电阻一直在耗电。正确的做法是把分压网络的下端电阻接到VRDIV而不是GND,这样芯片只在采样瞬间才给分压网络供电,平时分压电阻上没有电流。这个细节能把静态功耗再降一个数量级。

还有VOC_SAMP和VREF_SAMP的电容,必须用低漏电流的陶瓷电容,X7R或者C0G材质。如果用漏电流大的电容,采样电压会漂移,MPPT效率会明显下降。我实测过,用普通Y5V电容时MPPT效率只有60%左右,换成C0G后能到85%以上。

3. 阈值电阻计算与储能元件选型

3.1 阈值电阻的计算方法

BQ25570的所有阈值都通过电阻分压设定,计算公式在数据手册里有,但实际用的时候有几个细节需要注意。我以设定VBAT_OV=4.2V(单节锂电)为例说明。

芯片内部参考电压VREF典型值是1.21V。分压网络从VBAT到VRDIV,中间节点接VBAT_OV引脚。设上端电阻为R1,下端电阻为R2,则:

VBAT_OV = VREF × (R1 + R2) / R2

反过来,已知VBAT_OV和VREF,选一个R2值,就能算出R1:

R1 = R2 × (VBAT_OV / VREF - 1)

R2的选取有讲究。太小了分压网络电流大,虽然VRDIV只在采样时供电,但采样瞬间的电流也不能太大,否则会拉低VBAT电压。太大了则容易受引脚漏电流影响,精度下降。经验值是R2取1MΩ到10MΩ之间,我一般用4.7MΩ。

代入VBAT_OV=4.2V,VREF=1.21V,R2=4.7MΩ:

R1 = 4.7M × (4.2 / 1.21 - 1) = 4.7M × 2.471 = 11.6MΩ

取标准值11.5MΩ或11.8MΩ。实际焊上去后测一下阈值,偏差在±50mV以内就算合格。

VBAT_OK的上下限阈值计算同理。OK_PROG引脚设定上限VOK_HI,OK_HYST引脚设定下限VOK_LO。注意OK_HYST引脚的分压网络是从OK_PROG引脚取电压的,不是从VBAT取,这个结构有点绕,画图时容易接错。

假设我要设定VOK_HI=3.6V,VOK_LO=3.3V。先算OK_PROG的分压:

R3 = R4 × (VOK_HI / VREF - 1)

取R4=4.7MΩ,则R3 = 4.7M × (3.6 / 1.21 - 1) = 4.7M × 1.975 = 9.28MΩ,取9.1MΩ。

然后算OK_HYST的分压。OK_HYST引脚接在OK_PROG分压网络的下端电阻R4上,通过另一个电阻R5到GND。实际上OK_HYST的阈值是相对于OK_PROG引脚电压的,计算稍微复杂一点。简单做法是先用数据手册的公式算出R5,然后实测调整。

3.2 储能元件怎么选

储能元件的选择直接决定了系统的续航能力和瞬时供电能力。BQ25570支持三种储能元件:可充电锂电池、薄膜电池、超级电容。

可充电锂电池能量密度最高,自放电低,适合需要长时间续航的场景。但锂电池有充放电循环寿命限制,而且低温性能差。我一般选小容量的锂聚合物电池,比如50mAh到200mAh,体积小,循环寿命也有几百次。

薄膜电池(比如Cymbet的EnerChip)循环寿命长,可以充放电上万次,但容量小,通常只有几十微安时到几毫安时。适合负载功耗极低、但需要频繁充放电的场景。

超级电容容量大,充放电速度快,但自放电率高,而且电压随电量线性下降,不像锂电池那样有平坦的放电平台。如果后级负载对电压敏感,超级电容不是好选择。

我自己的项目里用得最多的是100mAh的锂聚合物电池。选型时注意电池的保护板,有些电池自带过放保护,但保护板本身有静态功耗,可能达到几微安,会吃掉收集到的能量。如果电池不带保护板,就要靠BQ25570的UV阈值来防止过放。

储能元件容量计算有个经验公式:

C = (I_load × t) / (V_hi - V_lo)

其中I_load是平均负载电流,t是两次充电之间的时间间隔,V_hi和V_lo是VBAT_OK的上下限。假设负载平均电流100μA,两次充电间隔24小时,V_hi=3.6V,V_lo=3.3V:

C = (100μA × 86400s) / 0.3V = 28.8F

这个容量太大了,说明单靠太阳能收集在24小时内攒不够这么多能量。实际做法是缩短上报间隔或者降低负载功耗。如果负载平均电流降到10μA,则C=2.88F,用超级电容就能实现。

3.3 电感与电容的选型细节

升压和降压电感的选择对效率影响很大。BQ25570的开关频率在PFM模式下是变化的,典型值在1kHz到100kHz之间。电感值太小,峰值电流大,开关损耗增加;电感值太大,响应慢,启动时间长。

升压电感推荐10μH到22μH,饱和电流至少200mA,直流电阻小于1Ω。我常用的是22μH的绕线电感,直流电阻0.5Ω左右,实测效率比10μH高3到5个百分点。

降压电感同样推荐10μH到22μH,饱和电流要大于最大输出电流。如果输出电流110mA,电感饱和电流至少300mA。

输入输出电容用低ESR的陶瓷电容。VIN_DC端建议接10μF,VBAT端接10μF,VOUT端接22μF。注意VOUT端的电容不能太大,否则启动时浪涌电流会触发过流保护。

4. VBAT_OK状态监控的完整实现

4.1 VBAT_OK的工作原理

VBAT_OK是BQ25570最实用的功能之一。它本质上是一个带迟滞的电压比较器输出,当VBAT电压上升到VOK_HI以上时,VBAT_OK输出高电平;当VBAT下降到VOK_LO以下时,输出低电平。中间区域保持上一次的状态,这就是迟滞。

迟滞的作用是防止后级负载在阈值附近反复开关。如果没有迟滞,VBAT在阈值附近波动时,VBAT_OK会频繁跳变,后级负载一会儿开一会儿关,系统根本没法稳定工作。

VBAT_OK是开漏输出,必须接上拉电阻。上拉电阻可以接到VBAT,也可以接到VOUT,取决于后级电路的逻辑电平。如果后级MCU是1.8V供电,上拉电阻就接到VOUT;如果是3.3V,就接到VBAT或者VOUT(如果VOUT设定为3.3V)。

上拉电阻的阻值选择:太大则上升沿慢,太小则静态功耗大。典型值100kΩ到1MΩ。我一般用470kΩ,上升时间在几十微秒量级,静态电流不到10μA。

4.2 用MCU监控VBAT_OK的实操

VBAT_OK可以直接接到MCU的外部中断引脚或者普通GPIO。如果只是用来使能后级负载,直接接VOUT_EN就行。但如果想记录能量收集状态、做自适应上报策略,就需要MCU来监控。

我通常把VBAT_OK接到MCU的一个GPIO,配置为输入,开启内部上拉(如果外部上拉电阻没焊)。然后在主循环里轮询或者用外部中断检测边沿。

轮询方式简单,但会占用MCU的唤醒时间。对于低功耗应用,建议用外部中断,只在VBAT_OK跳变时唤醒MCU。比如VBAT_OK从低变高时,MCU唤醒,开始一次数据采集和上报;从高变低时,MCU进入深度睡眠,等待下一次充电完成。

这里有个坑:VBAT_OK跳变时会有抖动,尤其是VBAT电压刚好在阈值附近时。虽然芯片内部有迟滞,但外部干扰或者负载突变还是可能引起误触发。解决方法是在MCU端做软件消抖,检测到边沿后延时10ms再读一次状态,确认稳定后再动作。

另一个坑是VBAT_OK的上拉电阻接到VOUT时,如果VOUT还没建立,VBAT_OK就是低电平,MCU可能误判为电量不足。正确做法是上拉电阻接到VBAT,这样只要VBAT有电,VBAT_OK就能正常输出。

4.3 VBAT_OK与BAT_GOOD的配合使用

BAT_GOOD是另一个状态输出,当VBAT高于欠压锁定阈值(UV)时输出高。UV阈值通常设定在2.0V到2.2V左右,低于这个电压时,芯片认为储能元件电量耗尽,停止所有输出。

BAT_GOOD和VBAT_OK配合使用可以实现分级电源管理。比如:

  • BAT_GOOD为低:储能元件电量极低,MCU进入最低功耗模式,只保留RTC走时。
  • BAT_GOOD为高、VBAT_OK为低:储能元件有电但不足,MCU可以周期性唤醒采集数据,但不上报。
  • VBAT_OK为高:储能元件电量充足,MCU正常上报数据,甚至可以开启高功耗传感器。

这种分级策略能最大化利用收集到的能量,避免在电量不足时做无用功。

4.4 实测波形与状态分析

我用示波器抓过VBAT_OK的波形。太阳能板在室内荧光灯下,输出电流大约20μA。VBAT从3.3V充到3.6V用了大约4小时,VBAT_OK从低变高。然后MCU唤醒,开启传感器和无线模块,瞬时电流20mA,持续50ms。这50ms内VBAT从3.6V掉到3.55V,但还在VOK_LO以上,VBAT_OK保持高电平。上报完成后MCU进入睡眠,VBAT继续充电。

如果负载电流太大或者上报时间太长,VBAT可能掉到VOK_LO以下,VBAT_OK变低,MCU被迫中断上报进入睡眠。这种情况说明储能元件容量不够或者太阳能板功率不足,需要调整。

实测中我还发现,VBAT_OK的跳变点跟设定值有偏差,通常在±30mV以内。这个偏差来自电阻精度、参考电压偏差和温度漂移。如果应用对阈值精度要求高,可以用MCU的ADC定期校准,或者用数字电位器动态调整分压电阻。

5. 效率优化与低功耗设计技巧

5.1 MPPT效率怎么调

BQ25570的MPPT是通过采样太阳能板开路电压的百分比来实现的。芯片内部固定采样比例,通常是开路电压的80%左右。这个比例对单晶硅太阳能板比较合适,但对薄膜太阳能板可能不是最优。

如果发现MPPT效率不高,可以尝试调整VOC_SAMP的采样电容。电容值影响采样保持时间,太大则采样跟不上开路电压变化,太小则采样电压不稳定。典型值10nF,可以在4.7nF到22nF之间试。

另一个影响MPPT效率的因素是太阳能板的特性。太阳能板的内阻和光照强度有关,光照弱时内阻大,最大功率点电压会下降。BQ25570的固定比例MPPT在这种情况下不是最优,但胜在简单可靠。如果追求极致效率,可以用外部MCU做扰动观察法MPPT,但会增加功耗和复杂度,对微瓦级应用不划算。

5.2 静态功耗的抠法

BQ25570本身的静态电流已经很低了,但外围电路的静态功耗往往被忽略。几个容易漏电的地方:

  • 分压电阻网络:如果没接VRDIV,分压电阻一直在耗电。假设R1+R2=15MΩ,VBAT=3.6V,电流就是240nA。虽然不大,但跟芯片本身的488nA比就是同一量级了。
  • VBAT_OK上拉电阻:470kΩ接3.6V,电流7.6μA。这个比芯片静态电流大一个数量级。如果后级不需要一直监控VBAT_OK,可以把上拉电阻接到一个GPIO,只在需要时拉高。
  • 储能元件保护板:有些锂电池保护板静态电流几微安,选型时要注意。
  • PCB漏电流:如果PCB表面有助焊剂残留或者湿度大,漏电流可能达到微安级。清洗PCB并涂三防漆能解决。

我实测过一块优化后的板子,整个系统在睡眠时的静态电流不到1μA,其中BQ25570占488nA,外围电路占300nA左右。这个水平可以支持在室内光下长期运行。

5.3 启动过程与冷启动技巧

BQ25570的冷启动需要VIN_DC达到330mV以上。如果太阳能板在弱光下输出只有100mV,芯片无法启动。这时候可以用一个储能电容先攒能量,等电压升到330mV以上再启动。

具体做法是在VIN_DC和GND之间接一个大电容,比如100μF。太阳能板先给这个电容充电,电容电压慢慢上升,达到330mV后芯片启动,开始正常升压。这个技巧在室内光或者阴天时特别有用。

另一个技巧是降低启动时的负载。芯片启动瞬间,降压转换器还没工作,后级负载如果直接接在VOUT上,会拉低VBAT,导致启动失败。正确做法是让VOUT_EN受VBAT_OK控制,启动时负载断开,等VBAT充到VOK_HI后再打开负载。

5.4 温度与长期可靠性

BQ25570的工作温度范围是-40°C到85°C,但外围元件的温度特性会影响整体性能。电阻的温度系数、电容的容量漂移、电池的低温性能都要考虑。

户外应用建议选温度系数50ppm/°C以内的电阻,X7R或C0G电容,电池选低温型锂聚合物。如果环境温度可能低于-20°C,锂电池可能无法充电,这时候要考虑用超级电容或者薄膜电池。

长期可靠性方面,太阳能板表面要防尘防水,接线端子要防氧化。我见过一个项目因为接线端子氧化,接触电阻变大,收集效率下降了一半。后来改用镀金端子并涂了防氧化膏,问题解决。

6. 常见问题与排查技巧实录

6.1 芯片不启动怎么办

这是最常见的问题。排查步骤:

  1. 测VIN_DC电压。如果低于330mV,芯片不会启动。用万用表测太阳能板开路电压,如果开路电压够但接上芯片就掉下来,说明太阳能板内阻太大,换大一点的板子或者加输入电容。
  2. 测VOC_SAMP和VREF_SAMP电容。如果电容漏电或者虚焊,芯片可能不启动。换C0G电容重新焊接。
  3. 测VBAT电压。如果VBAT有电压但芯片不充电,检查VBAT_OV分压电阻是否接对。如果VBAT已经高于VBAT_OV,芯片会停止充电,这是正常现象。
  4. 检查电感。升压电感如果开路或者饱和电流不够,芯片无法升压。换一个电感试试。

6.2 VBAT_OK不跳变怎么查

VBAT_OK一直低或者一直高,可能的原因:

  • 分压电阻接错。OK_PROG和OK_HYST的分压网络容易搞混,对照数据手册仔细检查。
  • 上拉电阻没接或者阻值太大。VBAT_OK是开漏输出,没上拉电阻永远是低。
  • VBAT电压没达到阈值。用万用表测VBAT,跟设定值对比。
  • 芯片损坏。如果以上都正常,换一片芯片试试。

6.3 充电效率低怎么优化

充电效率低的表现是VBAT上升很慢。排查:

  • 测太阳能板输出电流。如果电流太小,换大板子或者调整角度。
  • 测MPPT采样电容。换不同容值的电容试,找到效率最高的。
  • 测电感直流电阻。如果大于1Ω,换低直流电阻的电感。
  • 检查PCB布局。升压回路的走线要短而粗,减少寄生电阻。

6.4 常见问题速查表

问题现象可能原因排查方法解决方案
芯片不启动VIN_DC低于330mV测VIN_DC电压加输入电容或换太阳能板
VBAT_OK不跳变分压电阻接错对照数据手册检查重新计算并焊接电阻
充电效率低MPPT采样电容不合适换不同容值试选C0G材质10nF
静态功耗大分压网络未接VRDIV测分压电阻电流下端电阻接VRDIV
VBAT_OK抖动上拉电阻太大测上升时间减小上拉电阻到100kΩ
低温不充电锂电池低温保护测环境温度换超级电容或低温电池

6.5 独家避坑经验

第一个坑:VRDIV引脚一定要用。我第一版设计没注意这个引脚,分压电阻直接接GND,静态功耗多了200多nA。虽然看起来不多,但对于微瓦级收集来说,这就是10%以上的能量损失。

第二个坑:VBAT_OK的上拉电阻不要接到VOUT。VOUT在启动阶段是不稳定的,会导致VBAT_OK误触发。接到VBAT最可靠。

第三个坑:太阳能板的开路电压不要超过3V。BQ25570的VIN_DC最大耐压是5.5V,但超过3V后效率下降明显。选板子时注意开路电压参数,通常标称0.5V的板子开路电压在0.6V到0.7V,串联几片后要算一下总开路电压。

第四个坑:储能元件的容量不是越大越好。容量太大,充电时间太长,系统可能几天都启动不了。容量太小,负载一工作电压就掉下来。根据负载功耗和充电速率算一个合适的值,留50%余量就够了。

第五个坑:PCB布局时升压电感和降压电感要远离,避免磁耦合。我试过把两个电感放得太近,效率掉了8%。后来分开布局,效率恢复正常。

7. 一个完整的室内光能量收集节点实例

7.1 系统需求与方案确定

这个实例是我去年做的一个室内环境监测节点。需求是:在办公室荧光灯下工作,每小时采集一次温湿度并通过低功耗无线模块上报,设备体积要小,不能换电池。

方案确定:太阳能板用两片串联的薄膜太阳能板,每片开路电压0.6V,总面积约4平方厘米。储能元件用100mAh锂聚合物电池。BQ25570设定VBAT_OV=4.2V,VOK_HI=3.6V,VOK_LO=3.3V。降压输出设定3.3V给MCU和传感器。无线模块用低功耗蓝牙,上报时瞬时电流10mA,持续20ms。

7.2 原理图与PCB设计要点

原理图按前面说的引脚配置连接。分压电阻全部用1%精度薄膜电阻,分压网络下端接VRDIV。VOC_SAMP和VREF_SAMP用10nF C0G电容。升压电感22μH,降压电感22μH,分开布局。VBAT_OK上拉电阻470kΩ接到VBAT。

PCB用四层板,顶层走信号,第二层地平面,第三层电源平面,底层走低速信号。升压回路和降压回路分别放在板子两侧,中间用地平面隔离。太阳能板接口用镀金焊盘,防止氧化。

7.3 实测数据与效果评估

实测在办公室荧光灯下(照度约500lux),太阳能板输出电流约30μA。VBAT从3.3V充到3.6V用了约3小时。MCU每小时唤醒一次,采集温湿度并通过蓝牙上报,每次工作20ms,平均电流约5μA。系统连续运行了3个月,没有出现断电或者数据丢失。

效率方面,BQ25570的充电效率约75%,降压效率约85%,整体效率约64%。这个效率在微瓦级收集里算不错的。如果换用更大面积的太阳能板,充电时间可以缩短到1小时以内。

7.4 后续优化方向

这个节点还有优化空间。一是把MCU的睡眠电流再降低,目前是1μA左右,可以换用更低功耗的型号。二是无线模块的上报间隔可以自适应调整,VBAT_OK为高时每小时上报,为低时每4小时上报。三是增加一个超级电容作为缓冲,在无线模块发射瞬间提供峰值电流,减少对电池的冲击。

这个项目让我对BQ25570的理解深了不少。这颗芯片看起来复杂,但把引脚配置和阈值计算搞清楚后,用起来还是很顺手的。关键是细节:VRDIV要接、上拉电阻要接对、MPPT电容要选好、PCB布局要讲究。把这些做到位,微功耗能量收集就能稳定运行。

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