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01 全球SST产业化进程持续加速

2026年以来，关于固态变压器（Solid-State Transformer，SST）的产业进展不断涌现。相关产业政策持续释放积极信号，国内外企业加快样机研发和产品验证，海外初创企业密集融资，国际电力设备厂商也在积极推进产品布局。作为融合电力电子、高频变换和智能控制技术的新型电力装备，SST正逐渐成为全球电力系统和AI数据中心供电架构的重要发展方向。

02 SST正成为800V直流供电架构的重要演进方向

英伟达在关于AI数据中心800V直流供电架构的技术分享中提出，未来数据中心有望逐步向800V直流供电演进。作为实现中压交流电网向800V直流高效转换的重要技术路径之一，SST能够通过单套设备实现13.8kV/35kV中压交流到800V直流的一体化转换，减少中间变换环节，提升配电效率和功率密度。

与此同时，谷歌等头部科技企业在公开技术分享中也提出了类似的供电架构演进思路。随着AI数据中心功率密度持续提升，SST正被越来越多业内机构视为下一代数据中心供电体系的重要候选方案之一，并被认为具备成为未来终局供电架构的潜力。

03 SST市场空间广阔，2030年前后有望迈向千亿级规模（乐观预测）

根据部分行业研究机构的乐观预测，在AI数据中心持续扩张、800V直流架构快速渗透以及SST逐步实现规模商业化的假设下，SST市场规模有望在2030年前后达到千亿级水平。

预计2027年至2028年前后，SST技术将逐步进入商业化落地阶段。随着AI数据中心机柜功率持续提升，以及配电效率和空间利用率要求不断提高，SST的市场渗透率有望逐步提升，并带动电源主机、核心零部件及第三代半导体等产业链环节同步受益。

04 SST产业链机会将共振向上

1）SST主机及上游（新增）

从长期演进视角来看，SST作为未来高功率密度供电架构的重要方向之一，具备较大的成长空间。根据行业预测，在商业化逐步落地后，SST主机市场规模有望实现快速增长。

从零部件构成来看，SST成本主要由功率半导体、高频变压器、直流电容及散热系统等组成。其中，功率半导体和高频变压器是决定系统性能和效率的关键器件。

中压高频变压器在SST系统中承担电气隔离和能量传输的重要功能，其绝缘材料、磁性材料以及结构设计均面临较高技术挑战。高频运行条件下，绝缘材料更容易产生局部放电并加速老化，需要采用更高性能的绝缘设计；同时，传统硅钢材料已难以满足高频低损耗要求，软磁铁氧体、非晶合金和纳米晶材料等新型磁性材料的重要性进一步提升。

然而，材料和器件突破只是SST产业化的一部分挑战，覆盖研发验证和认证测试的能力体系同样是规模商业化落地的重要基础支撑。

由于SST具有高频、高压和模块化等特点，其面临的安规测试挑战与传统工频变压器存在显著差异：

其一，高频化特征使开关频率通常位于数千赫兹至数十千赫兹范围，高频PWM波形产生的高dv/dt应力，对绝缘系统提出更高要求，传统工频耐压测试难以充分复现此类应力环境；

其二，高压功率器件的大规模应用，使绝缘测试需要兼顾超宽量程、高灵敏度漏电流测量以及长期稳定性要求，以便及时发现潜在绝缘缺陷；

其三，模块化级联结构导致系统内部强弱电交织、接地关系复杂，部分大功率SST设备可能需要采用数百安培甚至更高电流等级的接地连续性测试方案，以验证模块外壳及屏蔽层接地连接的可靠性。

针对上述测试需求，面向SST应用场景的专项安规测试解决方案正逐步出现。以国内某家安规测试设备商为代表，其方案采用“量程突破、容量突破、精度突破”的设计思路，可覆盖从低压控制回路到高压功率回路的多样化测试需求，并针对容性负载、接地负载及有源负载开发专用算法，以满足复杂电力电子系统的验证需求。

其中，高压高阻计可用于评估不同电压等级下各功率模块间的绝缘性能，通过吸收比和极化指数等参数分析绝缘状态；超高压耐压仪可满足高电压条件下的绝缘耐受测试需求；大容量接地电阻分析仪能够实现毫欧级接地阻抗测量，确保接地连接满足相关安规标准和设备设计要求；矩阵式扫描系统可实现多模块、多测试点的自动化扫描验证。

从产业发展角度来看，随着头部云厂商和设备厂商加快样机验证和认证节奏，具备SST专项测试能力的第三方检测机构和仪器供应商，有望在产业化进程中发挥越来越重要的配套支撑作用。

此外，SiC功率器件正逐渐成为高压SST设计的重要技术选择之一。由于SST需要直接处理10kV级中压交流电，对器件耐压能力和开关性能提出极高要求。第三代宽禁带半导体材料，尤其是高耐压SiC MOSFET，能够有效降低开关损耗和导通损耗，并提升系统功率密度和运行效率，因此正受到越来越多SST方案开发者的关注。

2）二次电源与三次电源（升级）

随着AI数据中心整体需求放量，二次电源和三次电源环节也将迎来新的发展机遇。

在二次电源方面，采用HVDC架构后，执行AC/DC转换的PSU逐渐由计算机机柜内部转移至柜外HVDC Sidecar中，机柜内部将新增800V/±400V转50V/12V的DC/DC转换环节，以满足服务器和加速卡的低压供电需求。

在三次电源方面，VRM开始采用垂直供电技术（Vertical Power Delivery，VPD）。随着GPU功耗和面积持续增加，传统侧向供电面临供电路径长、电压损耗大等问题。VPD通过将VRM布置于芯片背面，使电流经PCB过孔垂直注入芯片核心，可有效缩短供电路径、降低损耗并提升供电能力。

3）核心零部件（升级）

虽然在未来SST架构中，部分传统UPS和多级整流环节有望被进一步简化，但超级电容CBU、直流断路器、直流熔断器等核心零部件仍具有广泛需求，并将在800V高压直流系统下迎来升级机会。

与此同时，SiC和GaN等第三代半导体功率器件作为高压、高频电力电子系统的重要基础器件，其市场需求也有望随着SST和HVDC架构的发展而持续提升。