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G‑01（GPU die 材料切片 #1）

类型：单晶半导体衬底体系（单晶 Si(100) 或 SOI：Si(100)/BOX/Si(100)；掺 As/P（n‑阱）或 B（p‑阱）；晶向各向异性；点缺陷/氧沉淀/晶圆内径向电阻率梯度）

产品：GPU compute die ——体硅衬底 / 阱 / 隔离基础

领域：电学—热学—力学（载流子迁移率各向异性；阱电阻/ latch‑up 免疫；衬底热导率张量（~149 W/m·K ∥ plane，~1% anisotropy）；内应力与翘ropes；氧沉淀与 gettering；radiation‑induced soft error（SRAM/寄存器）；阱偏置与衬底噪声）

复合材料及参数列表【含机理/尺度/宽度/质量分布/几何/集合/拓扑/质量/分布情况/边界情况/密度情况/连续分布情况/温度/其他外部条件的关键方程】：

• 机理：

  • 载流子迁移率 μ（e/h）来源于声子散射＋杂质散射；μ(T)≈μ₀(T/T₀)^(-3/2)（phonon）与 μ∝1/N_imp（Coulomb）。

  • SOI 引入埋氧层 BOX（k≈1.4 W/m·K，t≈0.1–0.2 μm）→自热更显著：热流主要走 source/dr